府省令令和6年7月8日

外国為替及び外国貿易法に基づく輸出貿易管理令の一部を改正する省令

掲載日
令和6年7月8日
号種
号外
原文ページ
p.22 - p.23
出典：官報発行サイト（内閣府）の掲載情報をもとに整理しています。重要な確認は公式原文を基準にしてください。
抽出要点

輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の改正

抽出された基本情報
発行機関経済産業省
令番号令和6年経済産業省令第38号
省庁経済産業省

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外国為替及び外国貿易法に基づく輸出貿易管理令の一部を改正する省令

令和6年7月8日|p.22-23

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ハ～ワ[略]
相補型金属酸化膜半導体集積回路で あって、零下二六八・六五度以下の温 度で作動するように設計したもの(ロ に該当するものを除く。)
二 マイクロ波用機器又はミリ波用機器の 部分品であって、次のいずれかに該当す るもの
イ〜ヲ[略]
ワ周波数シンセサイザーを用いた電子 組立品のうち、次のいずれかに該当す るもの
(一)~(七)[略]
カ[略]
三~九[略]
十 アナログデジタル変換器のうち、アナ ログデジタル変換を行う機能を有するモ ジュール、電子組立品又は装置(アナロ グデジタル変換カード、波形ディジタイ ザー、データ収集カード、信号収集ボー ド及びトランジェントレコーダーを含 む。)であって、次のイ及びロに該当する もの(デジタル方式の記録装置、サンプ リングオシロスコープ、スペクトラムア ナライザー、信号発生器、ネットワーク アナライザー及びマイクロ波用試験受信 機を除く。)
イ・ロ[略]
十一~十六の二[略]
十七 半導体素子、集積回路若しくは半導 体物質の製造用の装置(ホ及びレにおい て「半導体製造装置」という。)若しくは 試験装置若しくは集積回路の製造用のマ スク若しくはレチクルであって、次のい ずれかに該当するもの又はこれらの部分 品若しくは附属品(次号に該当するもの を除く。)
イ~ル[略]
ヲ ウエハーの処理のためのステップアッ ンドリピート方式又はステップアンド スキャン方式の露光装置であって、光
ハ~ワ[新設][略]
二 マイクロ波用機器又はミリ波用機器の 部分品であって、次のいずれかに該当す るもの
イ~ヲ[略]
ワ周波数シンセサイザーを用いた組立 品のうち、次のいずれかに該当するも の
(一)~(七)[略]
カ[略]
三~九[略]
十 アナログデジタル変換器のうち、アナ ログデジタル変換を行う機能を有するモ ジュール、組立品又は装置(アナログデ ジタル変換カード、波形ディジタイザー、 データ収集カード、信号収集ボード及び トランジェントレコーダーを含む。)で あって、次のイ及びロに該当するもの(デ ジタル方式の記録装置、サンプリングオ シロスコープ、スペクトラムアナライ ザー、信号発生器、ネットワークアナラ イザー及びマイクロ波用試験受信機を除 く。)
イ・ロ[略]
十一~十六の二[略]
十七 半導体素子、集積回路若しくは半導 体物質の製造用の装置(ホ及びレにおい て「半導体製造装置」という。)若しくは 試験装置若しくは集積回路の製造用のマ スク若しくはレチクルであって、次のい ずれかに該当するもの又はこれらの部分 品若しくは附属品(次号に該当するもの を除く。)
イ~ル[略]
ヲ ウエハーの処理のためのステップアッ ンドリピート方式又はステップアンド スキャン方式の露光装置であって、光
学方式のものであり、かつ、光源の波 長が一九三ナノメートル以上のもので あり、次の(一)及び(二)に該当す るもの(ヘ(一)2に該当するものを 除く。)
(一) ナノメートルで表した光源の 波長に〇・二五を乗じて得た数値を 開口数の値で除して得た数値が四五 以下なもの
(二) 同一装置による重ね合わせ精 度の最大値が二・四ナノメートル以 下のもの
ワ~タ[略]
レ 半導体製造装置のうち、成膜装置で あって、次のいずれかに該当するもの
(一) 電気メッキ又は無電解メッキ によりコバルトを成膜するように設 計したもの
(二) 化学的気相成長法によりコバ ルトを充填するように設計したもの 又は選択性のボトムアップ成膜を用 いる化学的気相成長法によりタング ステンを充填するように設計したも の
(三)~(五)[略]
(六) 仕事関数金属(トランジスタ の閾値電圧を制御するための材料を いう。以下同じ。)を原子層堆積法に より成膜するように設計した装置で あって、次の全てに該当するもの
1 二以上の金属の供給源を有する もののうち、アルミニウムの前駆 体用に設計した供給源を一以上有 するもの
[削る]
学方式のものうち、光源の波長が一 九三ナノメートル以上のものであり、 かつ、ナノメートルで表した光源の波 長に〇・二五を乗じて得た数値を開口 数の値で除して得た数値が四五以下の もの(へ(一)2に該当するものを除 く。)
[新設]
[新設]
ワ~タ[略]
レ 半導体製造装置のうち、成膜装置で あって、次のいずれかに該当するもの
(一) 電気メッキによりコバルトを 成膜するように設計したもの
(二) コバルト又はタングステンを ボトムアップ成膜によって充填する 工程において充填する金属の空隙又 は継ぎ目の最大寸法が三ナノメート ル以下となるように設計した化学的 気相成長装置
(三)~(五)[略]
(六) 仕事関数金属(トランジスタ の閾値電圧を制御するための材料を いう。以下同じ。)の原子層堆積装置 であって、次の全てに該当するもの
1 次の全てに該当するもの
一 二以上の金属の供給源を有す るもののうち、アルミニウムの 前駆体用に設計した供給源を一 以上有するもの
[削る]
2 三〇度超の温度で作動するよう に設計した前駆体容器を有するも の
3 仕事関数金属を成膜するように 設計した装置であって、次の全て に該当するもの
一・二[略]
(七)~(九)[略]
(十) ウエハーの基板温度を五〇〇 度未満に維持しながら、配線の全体 又は絶縁膜と絶縁膜との隙間(幅が 四〇ナノメートル未満のものに限 る。)にタングステンを原子層堆積法 により充填するように設計したもの
(十一) に該当するものを除く。)
[略]
ソ〜ナ 成膜装置であって、次のいずれかに 該当するもの
(一) ウエハーが設置された空間と は異なる空間で発生させたラジカル により化学反応を促進させることで 成膜するものであって、シリコン及 び炭素を含み、かつ、比誘電率が五・ 三未満の膜を、幅が七〇ナノメート ル未満であり、当該幅に対する深さ の比率が五倍を超え、かつ、パター ンのピッチが一〇〇ナノメートル未 満である水平方向の開口部に成膜す るように設計したもの
二 四五度超の温度で作動するよ うに設計した前駆体容器を有す るもの
[新設]
2 仕事関数金属を成膜するよう設 計した装置であって、次の全てに 該当するもの
一・二[略]
(七)~(九)[略]
(十) ウエハーの基板温度を五〇〇 度未満に維持しながら、絶縁膜と絶 縁膜との隙間(幅に対する深さの比 率が五倍を超え、かつ、当該幅が四 ○ナノメートル未満のものに限る。) にタングステン又はコバルトを空隙 が生じないように充填するように設 計した原子層堆積装置((二) に該当 するものを除く。)
[略]
ソ〜ナ 四〇〇度超六五〇度未満の温度で成 膜する装置又はウエハーが設置された 空間とは異なる空間で発生させたラジ カルにより化学反応を促進させること で成膜する装置であって、次の全てに 該当するシリコン及び炭素を含む膜を 形成するように設計したもの
(一) 五・三未満の比誘電率のもの
(二) 四〇〇度超六五〇度未満の温 度で成膜するもの(シリコン及び炭 素を含み、かつ、比誘電率が五・三 未満の膜を、幅が七〇ナノメートル 未満であり、当該幅に対する深さの 比率が五倍を超え、かつ、パターン のピッチが一〇〇ナノメートル未満 である水平方向の開口部に成膜する ように設計したものを除く。)であっ て、次の全てに該当するもの((一) に該当するものを除く。)
(二) 水平方向の開口部の寸法が七 ○ナノメートル未満のパターンにお いて当該寸法に対する深さの比率が 五倍を超えるもの
1 垂直方向に積み重なった複数の ウエハーを保持するように設計さ れたボートを有するもの
2 二以上の垂直方向に伸びるイン ジェクターを有するもの
3 膜のシリコン原料及びプロペン が導入されるインジェクターと膜 の窒素原料又は膜の酸素原料が導 入されるインジェクターが異なる もの
[削る]
[略]
ム・ウ 厚さが一〇〇ナノメートル超であ り、かつ、応力が四五〇メガパスカル 未満のカーボンハードマスクをプラズ マを用いた化学的気相成長法により成 膜するように設計した装置
ノ [略] オ 金属配線間の隙間(幅が二五ナノ メートル未満であり、かつ、当該幅に 対する深さの比率が一倍以上のものに 限る。)に比誘電率が三・三未満の低誘 電層を空隙が生じないようにプラズマ を用いて成膜するように設計した装置
[略]
ク ○・○一パスカル以下の真空状態に おいて、高分子残さ及び銅酸化膜を除 去し、かつ、銅の成膜を可能にするよ うに設計した洗浄除去装置
(三) パターンのピッチが一〇〇ナ ノメートル未満の構造のもの
[略]
ム・ウ 厚さが一〇〇ナノメートル超であ り、かつ、応力が四五〇メガパスカル 未満のカーボンハードマスクをプラズ マにより成膜するように設計した装置
[略]
ノ [略] オ 金属配線間の隙間(幅が二五ナノ メートル未満であり、かつ、深さが五 ○ナノメートル超のものに限る。)に比 誘電率が三・三未満の低誘電層を空隙 が生じないようにプラズマを用いて成 膜するように設計した装置
[略]
ク ○・○一パスカル以下の真空状態に おいて、高分子残さ及び銅酸化膜を除 去し、かつ、銅の成膜を可能にするよ うに設計した装置
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外国為替及び外国貿易法に基づく輸出貿易管理令の一部を改正する省令 - 第22頁
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