告示令和8年6月16日
経済産業省告示第七十一号（半導体集積回路等の製造に係る技術の指定等）
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経済産業省告示第七十一号（半導体集積回路等の製造に係る技術の指定等）
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令和8年6月16日火曜日官報第1727号
令和八年六月十六日
○経済産業省告示第七十一号
部を次の表のように改正し、令和八年八月十六日から施行する。
| 口 (略)11半導体集十八半導体集積回路の製造に用10 | ||||||||||||||||||||
| (四)窒化ガリウムの半導体基板又は | (三)液状型のソルダーレジストでキ | とは、47141411又は第が生11が生coる技術であって、次に掲ぐ10う。 | ||||||||||||||||||
| ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一 | プリフォームであって、二十度の温 | (四)窒化ガリウムの半導体基板又は | の設計又は製造に係る技術 | のの設計又は製次に掲げるもの | とは、11は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容70とする情報を適切に管理しな11場合にお1111て、省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第が生11 | |||||||||||||||
| 設計又は製造に係る技術 | ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一 | ンゴット、ブール若しくはその他の | て、半導体の製造に用11-- | 造に係る技術 | (回路基板を被覆する絶縁材料とし | 二六17**11は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容報告1.とする情報を適切に管理しな11場合にお11九.て、省令第九条第二項第七号口若しくは二10 | ||||||||||||||
| 設計又は製造に係る技術 | オーム11ンチメートル以下のものの | プリフォームであって、二十度の温 | ンゴット、ブール若しくはその他の | の設計又は製造に係る技術 | て、半導体の製造に用11-- | (三)液状型のソルダーレジストでキ | 11半導体集集集十八半導体集積回路の製造に用10のの設計又は製10次に掲げるもの19 | (回路基板を被覆する絶縁材料として用いられるレジストをいう。ハ | (七)フィ11ム型のソルダー1.37 | 11電子部品及びその製造に用11られるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの | ||||||||||
| オーム11ンチメートル以下のものの | プリフォームであって、二十度の温 | の設計又は製造に係る技術 | て、半導体の製造に用11-- | (三)液状型のソルダーレジストでキ | 積積十八半導体集積回路の製造に用10 | (三)において同じ。)の(三)にお(1て同じ。)の設計又は製 | (回路基板を被覆する絶縁材料として用いられるレジストをいう。ハ | 1011電子部品及びその製造に用11られるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの | 1733**)替11は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容報告1.とする情報を適切に管理しな11場合にお11九.14て、省令第九条第二項第七号口若しくは二10が生coる技術であって、次に掲ぐが生coる技術であって、次に掲げるものを | |||||||||||
| ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一 | の設計又は製造に係る技術 | て、半導体の製造に用11-- | の1(三)液状型のソルダーレジストでキ | 十八半導体集積回路の製造に用1011のの設計又は製(1 | (三)において同じ。)の(三)にお(1て同じ。)の設計又は製 | (回路基板を被覆する絶縁材料として用いられるレジストをいう。ハ | (七)フィ11ム型のソルダー1.37 | 33..)替1011は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる14技術のうち、当該技術を提供した後に、当1917該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお1114條第て、省令第九条第二項第七号口若しくは二1010が生coる技術であって、次に掲ぐ(あ%0が生coる技術であって、次に掲げるものを | ||||||||||||
| 設計又は製造に係る技術 | ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一 | プリフォームであって、二十度の温 | ンゴット、ブール若しくはその他の | の設計又は製造に係る技術 | て、半導体の製造に用11-- | 11(三)液状型のソルダーレジストでキ | 十八半導体集積回路の製造に用10(路 | 造に係る技術 | ##(回路基板を被覆する絶縁材料として用いられるレジストをいう。ハ | 1211電子部品及びその製造に用11られるものの設計又は製造に係る技術であって、 | ||||||||||
| 設計又は製造に係る技術 | ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一オーム11ンチメートル以下のものの | プリフォームであって、二十度の温 | ンゴット、ブール若しくはその他の | の設計又は製造に係る技術 | て、半導体の製造に用11-- | 17 | 十八半導体集積回路の製造に用10 | (三)において同じ。)の1414(三)にお(1て同じ。)の設計又は製 | ##17(回路基板を被覆する絶縁材料とし | (略) | T101重1011は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一17和{百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる1044技術のうち、当該技術を提供した後に、当1.該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお11IIて、省令第九条第二項第七号口若しくは二はが生coる技術であって、次に掲ぐTが生coる技術であって、次に掲げるものを1, | ..T10101011は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一17百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる1444技術のうち、当該技術を提供した後に、当1917該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお11條第IIて、省令第九条第二項第七号口若しくは二10はが生coる技術であって、次に掲ぐ(あ%0T | IE | |||||||
| オーム11ンチメートル以下のものの | ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一 | 11ンゴット、ブール若しくはその他の | の設計又は製造に係る技術 | て、半導体の製造に用11-- | 係{ | 十八半導体集積回路の製造に用10) | 17(回路基板を被覆する絶縁材料とし | 11電子部品及びその製造に用11られるも)のの設計又は製造に係る技術であって、 | ||||||||||||
| ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一 | プリフォームであって、二十度の温 | ンゴット、ブール若しくはその他の## | (四)窒化ガリウムの半導体基板又は** | て、半導体の製造に用11-- | 7. | 十八半導体集積回路の製造に用10** | 11て用いられるレジストをいう。ハ | (七)フィ11ム型のソルダー1.37III | のの設計又は製造に係る技術であって、 | 1重要要(管11は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一和{17++百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる10技術のうち、当該技術を提供した後に、当1.供供該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお11て、省令第九条第二項第七号口若しくは二が生coる技術であって、次に掲ぐが生coる技術であって、次に掲げるものを1,17 | ||||||||||
| 設計又は製造に係る技術 | オーム11ンチメートル以下のものの | プリフォームであって、二十度の温 | (四)窒化ガリウムの半導体基板又は道{ | て、半導体の製造に用11-- | 十二 | (回路基板を被覆する絶縁材料とし24 | (七)フィ11ム型のソルダー1.37 | 11電子部品及びその製造に用11られるも17のの設計又は製造に係る技術であって、 | ||||||||||||
| オーム11ンチメートル以下のものの | ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一オーム11ンチメートル以下のものの | ンゴット、ブール若しくはその他の14 | (四)窒化ガリウムの半導体基板又は其ンゴット、ブール若しくはその他の1414 | て、半導体の製造に用11--W | (三)液状型のソルダーレジストでキVIW | 十八半導体集積回路の製造に用10 | (三)において同じ。)の(三)にお(1て同じ。)の設計又は製11 | (回路基板を被覆する絶縁材料とし(1 | 11電子部品及びその製造に用11られるも用)のの設計又は製造に係る技術であって、) | 理)1011は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一171年百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる(欄技術のうち、当該技術を提供した後に、当た.該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお11て、省令第九条第二項第七号口若しくは二11吉井定19が生coる技術であって、次に掲げるものを1714 | 11 | |||||||||
| オーム11ンチメートル以下のものの | プリフォームであって、二十度の温0.00 | て、半導体の製造に用11--W0.00 | 術To | 十八半導体集積回路の製造に用10100To | (回路基板を被覆する絶縁材料として用いられるレジストをいう。ハ11 | |||||||||||||||
| ○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一4/オーム11ンチメートル以下のものの | ンゴット、ブール若しくはその他の17 | (四)窒化ガリウムの半導体基板又は板の | n | あり | (回路基板を被覆する絶縁材料としWil | (七)フィ11ム型のソルダー1.371/ | 現象11は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一政府百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当後後該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお1114て、省令第九条第二項第七号口若しくは二10る.が生coる技術であって、次に掲げるものを33 | |||||||||||||
| オーム11ンチメートル以下のものの | プリフォームであって、二十度の温14 | プリフォームであって、二十度の温の110 | (四)窒化ガリウムの半導体基板又はY | (三)液状型のソルダーレジストでキ11ある1411 | (三)液状型のソルダーレジストでキ1114 | (回路基板を被覆する絶縁材料とし11て用いられるレジストをいう。ハ17 | (七)フィ11ム型のソルダー1.37VI | 十二11は、、外国為替令(昭和五十五年政令第一10百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げる1技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しな11場合にお11て、省令第九条第二項第七号口若しくは二16131715 | ||||||||||||
| 11ンゴット、ブール若しくはその他ののプリフォームであって、二十度の温一頭○11おも19る電気抵抗率カラ百分の一0.0オーム11ンチメートル以下のもののの1 | (三)にお(1て同じ。)の設計又は製1119 | 術{第第11百六十号)別表の一六の項の中欄に掲げるlyる。技術のうち、当該技術を提供した後に、当19該技術の提供を受けた者が当該技術を内容容易とする情報を適切に管理しな11場合にお111311て、省令第九条第二項第七号口若しくは二1は1017れが生coる技術であって、次に掲げるものを1011 | ||||||||||||||||||
| 10の1 | も10 | て用いられるレジストをいう。ハ11(三)にお(1て同じ。)の設計又は製19 | 11電子部品及びその製造に用11られるもものの設計又は製造に係る技術であって、10 | |||||||||||||||||
| 10う。 | ||||||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの(一) (二) (略)(新設) | ||||||||||||||||||||
| のの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの(一) (六)(新設) | て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれが生CCる技術であって、次に掲げるものを | |||||||||||||||||||
| (新設)(新設) | 11半導体集積回路の製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの(一) (二) (略) | のの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの(一) (六)(新設) | 二 この告示において 「重要管理対象技術」とは、外国為替令(昭和五十五年政令第二百六十号) 別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しない場合にお(1て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれ | |||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの(一) (二) (略) | 11電子部品及びその製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの | |||||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの(一) (二) (略) | ||||||||||||||||||||
| 11電子部品及びその製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの | て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれ | |||||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの | 11電子部品及びその製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、次に掲げるもの | て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二 | ||||||||||||||||||
| のの設計又は製造に係る技術であって、(一) (二) (略) | ||||||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるも | のの設計又は製造に係る技術であって、 | |||||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるも16 | とは、外国為替令(昭和五十五年政令第二百六十号) 別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しない場合にお(1て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれが生CCる技術であって、次に掲げるものを | |||||||||||||||||||
| のの設計又は製造に係る技術であって、十二 | 11半導体集積回路の製造に用いられるも造造7. | 11電子部品及びその製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、 | とは、外国為替令(昭和五十五年政令第二百六十号) 別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容とする情報を適切に管理しない場合にお(1て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれ | |||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるも | ||||||||||||||||||||
| のの設計又は製造に係る技術であって、10 | 11半導体集積回路の製造に用いられるも10のの設計又は製造に係る技術であって、10 | とは、外国為替令(昭和五十五年政令第二百六十号) 別表の一六の項の中欄に掲げる技術のうち、当該技術を提供した後に、当該技術の提供を受けた者が当該技術を内容て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれが生CCる技術であって、次に掲げるものを | ||||||||||||||||||
| のの設計又は製造に係る技術であって、あり | 11半導体集積回路の製造に用いられるも1017のの設計又は製造に係る技術であって、あり | 11電子部品及びその製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、 | て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二が生CCる技術であって、次に掲げるものを | |||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるもnのの設計又は製造に係る技術であって、17 | 11電子部品及びその製造に用いられるものの設計又は製造に係る技術であって、 | |||||||||||||||||||
| のの設計又は製造に係る技術であって、T | て、 省令第九条第二項第七号口若しくは二又は第八号口若しくは二に規定するおそれが生CCる技術であって、次に掲げるものを | |||||||||||||||||||
| 11半導体集積回路の製造に用いられるも20T10 | ||||||||||||||||||||
づく重要管理対象技術を提供することを目的とする取引を行おうとする者に報告を求める事項)の一
令和六年経済産業省告示第百七十八号(貿易関係貿易外取引等に関する省令第十条第三項の規定に基
貿易関係貿易外取引等に関する省令(平成十年通商産業省令第八号)第十条第三項の規定に基づき、
経済産業大臣赤澤亮正
(傍線部分は改正部分)
法規的告示
令和八年六月十六日
国土交通大臣金子恭之
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