電子ビーム源及び半導体製造装置等の定義に関する規定（断片）
令和7年4月3日|p.11-12
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11金和7年4月3日本福日官報(局外第76号)
3ビーム冷陰極電界放出型の電子ビーム源
4二以上の電子ビーム源
シ計測装置であって、次のいずれかに該当するも11
(一) 露光前にウエハー形状パラメータを測定し、 開口数一 三超の液浸レンズを有す
る深紫外リソグラフT.装置又は極端紫外リソグラフT.装置の重ね合わせ誤差又はフ1411
カスを改善するために測定値を利用するように設計したスタンドアロン装置
(二) 画像ベースの重ね合わせ誤差又は回折ベースの測定技術を用いて、製品ウエ八1.0
上の11シスト現像後又はエッチング後のフオーカス又は重ね合わせ誤差を測定するよう
に設計した測定装置で、〇・五ナノメートル以下の重ね合わせ誤差測定精度を有するも
のであって次のいずれかを有するもの
1トラックへの組み込み用に設計されたもの
2 高速波長切り替え機能を有するもの
十七の二半導体素子、集積回路又は半導体物質の製造用の装置又は試験装置であって、次の
いずれかに該当するもの
イ 半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、
次の(一)から(七)までの全てに該当するもの(国際半導体製造装置材料協会が定めた
SEMI規格に準拠したウエ八ーの搬送・保管容器 (二〇〇ミリスートノレ以上のフロン
ト・オープニング・ユニファイド・ポッド(FO10P)を含む。)用にウエ八ー搬入部を設
計したものを除く。)
(一)ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のも(
(二) レーザー干渉計によるスヘテージ位置計測が可能なも11
(三) レーザー干渉計による長さスケーノレ計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
(四) 画素数が二〇〇、〇〇〇〇、 〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
(五)画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五八パーセント未満の
もの
(六)画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のも11
(七)加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
ロ極低温ウエハープローバ装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの
(一)零下二六八・六五度以下の温度で試験を行うことができるように設計したもの
(二) 直径が一〇〇ミリメートル以上のウエハーに対応するように設計したもの
十七の三集積回路の製造用のマスク若しくはL.チク八又はこれらの部分品若しくは附属品で
あって、 次のいずれかに該当するもの
イマスク又はL'チクル(二に該当するものを除く。)であって、第一号から第八号の00まで
のいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はこれらの部分品若しくは附属品 (ホに
掲げるものを除く。)
ロ位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリ
ソグラフィ装置に用いるために設計したもの (イに該当するもの及び第一号から第八号の
四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。)又はその
部分品若しくは附属品
(新設)
十七の二ペ107八であって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計
したもの
(新設)
八1ンプリントリソグラフ11テンプ1/ートであって、 第一号から第八号の四四までのいずれ
かに該当する集積回路の製造用のもの又はその部分品若しくは附属品
二極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したマスク又はレチクル
であって、次号に該当するマスクブランクを有するもの又はこれらの部分品若しくは附属
品(ホに掲げるものを除く。)
ホペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計した
もの
十七の四 (略)
(削る)
十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、か
つ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエビタキシャル材料とな
るもの(次号に該当するもの又は二に該当する化合物(窒化ガリウム、窒化インジウムガリ
ウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニ
ウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジ
ウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガ
リウムアルミニウムに限る。)のP型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該
P型エピタキシャル層がN型層に挟まれていないものを除く。)
イ～へ (略)
十八の二基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の一層以上からなる膜
の結晶を有し、かつ、当該結晶がエビタキシャル成長されているもののうち、エピタキシャ
ル材料となるもの
イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
ロゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
ゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ト未満のもの
十九~二十四 (略)
十七の三 (略)
十七のDU一半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であっ
て、次のイからトまでの全てに該当するもの(国際半導体製造装置材料協会が定めたSEM
I規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器(二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープ
ニング・ユニファイド・ポッド(FOUP)を含む。)用にウエハー搬入部を設計したものを
除く。)
イステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
ロ レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ハレーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
二 画素数が二〇〇、〇〇〇〇、 〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
ホ画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満のもの
へ 画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
ト加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
十八基板であつて、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層腺の結晶を有し、か
つ、当該結晶がエビタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエビタキシャル材料とな
るもの(二に該当する化合物(窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウム
ガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガ
リウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウム
ガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限
る。)のP型エビタキシャル層を一層以上有するものであって、当該P型工ビタキシャル層が
N型層に挟まれていないものを除く。)
イ～へ(略)
(新設)
十九～二十四 (略)