半導体製造装置等の輸出管理に関する技術基準の変更（ベクトル変調帯域、ネットワークアナライザー、極低温冷却装置、エピタキシャル成長装置等）
令和7年4月3日|p.7
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ホデジタルベースパンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域
幅が次のいずれかに該当するもの
(一) (略)
(四)七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツ
を超えるもの
ヘ 最大出力周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
十四ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
イ四三五ギガへ1.ツ超一一〇ギガヘ1.ツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出
力が一〇〇ミリワット(二〇ディービーエム)を超えるもの
口削除
ハ五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機
能を有するもの(イに該当するものを除く。)
二 (略)
十五～十六の二(略)
十六の三極低温用の冷却装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
イ零下二七三・〇五度以下の温度にお11て、74八時間超11わたって、六〇〇マイクロワiy
ト以上の冷凍出力を供給する定格のもの
ロ二段式のパルスチューブ冷凍機であって、温度を零下二六九・一五度未満に維持するも
のであり、かつ、零下二六八・九五度以下の温度において、一・五ワット以上の冷凍出力
を供給する定格のもの
十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置(ホ及びレにおいて「半尊体
製造装置」という。「若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの
部分品若しくは附属品
イ結品のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの(ウに該当する
ものを除く。)
(一) (略)
(二)有機金属化学的気相成長反応炉であって、アjuミニウム、ガリウム、インジウム、
砒素、りん、アンチモン、酸素又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体
をエピタキシャル成長させるもの
(三) (略)
口～ホ(略)
ヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
(一) (略)
(二)インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現す
ることができるもの(テに該当するものを除く。)
(三) (四) (略
ト 削除
チ削除
リ削除
ホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域
幅が次のいずれかに該当するもの
(一) (略)
(四)七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを
超えるもの
へ最大出力周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
十四ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
イ四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力
が三一・六二ミリワット(一五ディービーエム)を超えるもの
ロ九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が
一ミリワット(○ディービーエム)を超えるもの
ハ五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機
能を有するもの(イ又は口に該当するものを除く。)
二(略)
十五～十六の二(略)
(新設)
十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置(ホ及びLIにおtoて「半導体
製造装置」という。)若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル
であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品(次号に該当す
るものを除く。)
イ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの(ウに該当する
ものを除く。)
(一) (略)
(二)有機金属化学的気相成長反応炉であって、ア(Lミニウム、ガリウム、インジウム、
砒素、燐、アンチモン又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエビタ
キシャル成長させるもの
(三) (略)
口~ホ (略)
ヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するもの
(一) (略)
(二)インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現す
ることができるもの
(三) (四) (略)
トマスク又はレチクルであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回
路の製造用のもの
チ 位相シフト膜を有する多層マス)クであって、 光源の波長が二四五ナノメートル未満のリ
ソグラフィ装置に用いるために設計したもの(トに該当するもの及び第一号から第八号の
四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。)
リインプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれ
かに該当する集積回路の製造用のもの