政府調達令和6年9月26日

国立大学法人東北大学における高速不揮発メモリプロセス装置の資料提供招請

掲載日
令和6年9月26日
号種
政府調達
原文ページ
p.40
出典:官報発行サイト(内閣府)の掲載情報をもとに整理しています。重要な確認は公式原文を基準にしてください。
公告概要

令和6年9月26日発行の官報(政府調達 第180号)に掲載された政府調達・入札公告です。国立大学法人東北大学による「高速不揮発メモリプロセス装置」の政府調達公告。掲載ページ: p.40。

抽出された基本情報
調達機関国立大学法人東北大学出典: p.40 / 抽出済みメタデータ · 原文確認対象
品目高速不揮発メモリプロセス装置出典: p.40 / 抽出済みメタデータ · 原文確認対象
政府調達分類コード24出典: p.40 / 現在の公告本文 / 品目分類番号 · 境界確認済み
連絡先電話 022-217-4869出典: p.40 / 現在の公告本文 / 問い合わせ先 · 境界確認済み

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国立大学法人東北大学における高速不揮発メモリプロセス装置の資料提供招請

令和6年9月26日|p.40

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招請
資料提供招請に関する公表
次のとおり物品の導入を予定していますので、 当該導入に関して資料等の提供を招請します。
令和6年9月26日
国立大学法人東北大学副学長 伊豆仁志
◎調達機関番号 415 ◎所在地番号 04
○第20号
1 調達内容
(1) 品目分類番号 24
(2) 導入計画物品及び数量 高速不揮発メモリプロセス装置一式
(3) 調達方法購入等
(4) 導入予定時期 令和7年度4月以降
(5) 調達に必要とされる基本的な要求要件
A DC、RF又はDC/RF併用マグネトロンスパッタリング法により、300mmΦウエハ上に薄膜の堆積を超高空背圧下で3種類以上のガスを導入できること。
B 12元以上のカソードを有し、2元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリング成膜ができること。
C 高真空中で100℃~300℃の範囲を含む任意の温度でウエハを加熱して成膜する機構を有すること。
D 高真空下で金属あるいは酸化物が形成された300mmΦウエハの表面をプラズマ又はイオンビームでドライエッチングできること。
E 既装置に接続可能であり、プログラム制御によりウエハを既装置から搬送し、連続してエッチングと成膜の自動処理ができること。
2 資料及びコメントの提供方法 上記1(2)の物
品に関する一般的な参考資料及び同(5)の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリーに関する資料等の提供を招請する。
(1) 資料等の提供期限 令和6年10月28日17時00分(郵送の場合は必着のこと。)
(2) 提供先 〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学財務部調達課調達第一係長 大友将充 電話022-217-4869
3 説明書の交付 本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付する。
(1) 交付期間 令和6年9月26日から令和6年10月28日まで。
(2) 交付場所 上記2(2)に同じ。
4 説明会の開催 本公表に基づく導入説明会を開催する。
(1) 開催日時 令和6年10月3日10時00分
(2) 開催場所 オンライン開催とする。(詳細は、導入説明書による。)
5 その他 この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予定であり、変更することがあり得る。
6 Summary
(1) Classification of the products to be procured: 24
(2) Nature and quantity of the products to be purchased: High-speed Nonvolatile Memory Processing System 1 Set
(3) Type of the procurement : purchase
(4) Basic requirements of the procurement :
A Thin film can be deposited by DC and/or RF magnetron sputtering on 300 mmΦ wafer using more than three type of gases under ultra high vacuum back ground pressure.
B More than 12 cathodes are equipped and Co-sputtering deposition using more than 2 cathodes is possible.
C Temperature of substrate can be controlled at any temperature in the range including 100~300°C during deposition.
D Thin film on 300 mmΦ wafer can be dry etched by plasma or ion beam under high vacuum back ground pressure.
E Connectable with High-speed Non-volatile Memory Fabrication System and capable to deposit and etch 300 mmΦ substrate transferred from the system by program control.
(5) Time limit for the submission of the requested material: 17:00 28 October, 2024
(6) Contact point for the notice: Masamitsu Otomo, Procurement Services Office, Finance Department, Tohoku University, 2-1-1 Katahira Aoba-ku Sendai-shi 980-8577 Japan, TEL 022-217-4869
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国立大学法人東北大学における高速不揮発メモリプロセス装置の資料提供招請 - 第40頁
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